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Diodes DFN2020封装P通道MOSFET减少负载开关损耗
Diodes DFN2020封装P通道MOSFET减少负载开关损耗

Diodes公司新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用设计小巧的2mm x 2mm DFN分别提供12020包装V和20V的额定值。新产品适用于平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费电子产品的负载开关,以及物联网的应用。

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两款MOSFET在低栅极驱动下提供低导电阻,有效满足那些希望以简单的方式关闭低压电源轨的电路设计师。这也保证了低至1.5V电源轨可以通过最通损耗开关。DMP1022UFDF在-Diodes芯片2.5V栅极驱动下的导电阻小于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导电阻小于26mΩ。以MOSFET关闭闲置处理器核心等非活动电路作为高侧负载开关,可有效延长电池寿命。

新产品占地面积仅4mm2的小型DFN2020年包装,离板高度只有0.6mm,也非常适合对空间要求严格的应用。该包装还有一个带有散热漏极的焊盘,不到10个°C/W从结点到焊盘热阻提供散热功能,降低裸片温度,提高设备可靠性。

DMP1022UFDF及DMP2021UFDF每批出货量为1万。如果您想了解更多的产品信息,请访问www.diodes.com。

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