Diodes公司首次推出微型DFN1212-3封装MOSFET。该装置的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能够在持续状态下支持高达1W与占地面积相同的功耗相比，Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723包装，可实现较低温度运行。

南皇电子专注于整合中国优质电子Diodes代理商国内领先的现货资源，提供合理的行业价格、战略备货、快速交付控制Diodes芯片供应商，轻松满足您的需求DDiodes是什么品牌iodes芯片采购需求.（http://www.diodeschina.com/）

这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET同样，印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2，并具备0.5mm狭窄的离板高度，但后者的热效率较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET高可靠性信号和负载开关应用程序可以很容易地替换，用于高便携式消费电子产品，包括数码相机、平板电脑和智能手机。

Diodes这对公司首次推出MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8VN通道MOSFET典型导通电阻为400mΩ，比较最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET低50%左右有助于大大降低传导损耗和功耗。

Diodes之后将推出采用DFN1212-3包装，额定电压30V与60V组件和一系列双极装置。