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1N4006G-T
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:DO-41
- 技术参数:DIODE STANDARD 800V 1A DO41
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
1N4006G-T参数详情:
在追求极致可靠性的电源设计中,您是否曾为整流二极管的电压余量不足而担忧?当浪涌电压突然来袭,普通器件瞬间失效,导致整个系统停摆的代价,远比一颗优质二极管的价格高昂得多。今天,我们向您隆重介绍一款为高电压环境而生的可靠守护者1N4006G-T。它不仅仅是一个元件,更是您电源前端坚不可摧的第一道防线,以其高达800V的反向电压承受能力,为您提供远超常规应用的宽裕安全边际,让设计从此告别如履薄冰的紧张感。
想象一下,在工业电源、家用电器适配器、甚至是不间断电源(UPS)系统的核心整流电路中,1N4006G-T正默默发挥着关键作用。它那1A的平均整流电流,足以轻松应对大多数主流设备的功率需求,而其标准恢复特性与2s的反向恢复时间,确保了在工频及中低频应用中的高效与稳定。无论是应对电网的波动,还是处理电机等感性负载产生的反向电动势,它都能稳如磐石,将交流电顺畅地转化为纯净的直流电,为后续电路提供坚实的能量基础。选择它,意味着为您的产品选择了一份经得起时间考验的耐用承诺。
那么,在众多二极管中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于它卓越的性价比与无与伦比的可靠性平衡。高达800V的Vr(最大值)意味着更强的抗浪涌能力,1V@1A的低正向压降则有效减少了导通损耗,提升了整体能效。其微安级的反向泄漏电流(5A @ 800V)和极低的结电容,进一步保障了系统在高压下的静态与动态性能。经典的DO-41轴向封装,兼容性强,便于自动化生产和手工焊接,大大降低了您的生产与维护复杂度。当您需要这样一款性能与可靠兼备的通用整流方案时,通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购,不仅能确保获得原装正品,还能享受专业的技术支持与稳定的供货服务,让您的产品从源头就占据品质高地。
- 型号:1N4006G-T
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:DO-41
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE STANDARD 800V 1A DO41
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V
- 电流 - 平均整流 (Io):1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
- 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):2 s
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 800 V
- 不同Vr、F 时电容:8pF @ 4V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
- 供应商器件封装:DO-41
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
- 1N4006G-T的官网价格:1:$0.35000|5000:$0.06726,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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