2N7002T-7

在追求极致小型化的电子设计中，您是否还在为寻找一款既能承受足够电压、又能完美适配紧凑空间的信号开关而烦恼？今天，我们为您带来一个微小却强大的解决方案2N7002T-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和仅SOT-523的微型封装，正在重新定义小信号控制的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效、可靠电路设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的电池管理系统中，2N7002T-7正默默发挥着关键作用。它那仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，让微控制器或逻辑芯片能够轻松驾驭，完美承担起信号切换、负载隔离或电平转换的重任。无论是切换LED灯串、驱动微型继电器，还是在模拟开关电路中扮演重要角色，其115mA的连续漏极电流和低至7.5欧姆的导通电阻，都确保了能量在传输过程中的损耗降至最低，让系统的整体能效显著提升。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为产品在各种严苛环境下稳定运行提供了坚实保障。

选择2N7002T-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极致的空间利用率。SOT-523封装在节省宝贵PCB面积方面无与伦比，特别适合那些对尺寸有苛刻要求的可穿戴设备、物联网终端和超薄消费电子产品。尽管该型号已停产，但其经典的设计和稳定的性能使其在存量市场和特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅能保障芯片品质，还能获得专业的技术选型支持与供应链服务。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您下一个创新产品中不可或缺的“高效开关”，助力您的设计在性能与体积之间找到完美平衡点。

• 型号:2N7002T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 2N7002T-7的官网价格：1:$0.62000|30000:$0.15000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。