2N7002W-7-F

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一款既能可靠控制小功率负载，又能在有限空间内灵活布局的开关解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前2N7002W-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为高效、精准的电路控制而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化设计流程的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密仪器中，需要快速、安静地切换信号路径或控制微型继电器的通断。2N7002W-7-F凭借其高达60V的漏源电压和115mA的连续漏极电流能力，能够轻松胜任这些任务。其低至7.5欧姆的导通电阻（在5V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。无论是用于电平转换、负载开关，还是作为模拟开关的一部分，它都能确保信号的纯净与控制的精准。

选择2N7002W-7-F，就是选择了一份从容与保障。其SOT-323的超小型封装，为高密度PCB布局提供了无限可能，让您的产品设计更加纤薄轻巧。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，从炎热的汽车电子到寒冷的户外设备，无所畏惧。更重要的是，通过可靠的DIODES代理渠道，您可以便捷地获得这颗高品质芯片，享受从选型支持到稳定供货的全流程服务，让您的项目推进再无后顾之忧。让2N7002W-7-F成为您下一个设计中的亮点，用微小的体积，释放巨大的控制能量。

• 型号:2N7002W-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 2N7002W-7-F的官网价格：1:$0.22000|3000:$0.04417，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。