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BFS17NQTA

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管,封装:SOT-23-3
  • 技术参数:RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BFS17NQTA参数详情:

在追求极致信号清晰度的无线通信设计中,您是否曾为高频放大环节的稳定性与噪声问题而困扰?今天,让我们聚焦一颗在射频前端表现卓越的明星BFS17NQTA。这颗来自Diodes Incorporated的NPN射频晶体管,以其高达3.2GHz的跃迁频率,为您的高频应用注入澎湃动力,确保信号传输既强劲又纯净。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品无线性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下,在智能手机的射频前端模块中,BFS17NQTA正稳定工作,高效放大微弱的接收信号;在Wi-Fi 6/6E路由器或物联网传感节点中,它确保数据包的高速、可靠传输;甚至在专业的测试测量设备、卫星通信接收端,其宽广的-55°C至150°C工作温度范围,让它能从容应对各种严苛环境。无论是消费电子、通信基础设施还是工业控制领域,只要涉及高频信号处理,它都能大显身手,成为电路设计中值得信赖的“信号增强器”。

选择BFS17NQTA,就是选择了一份卓越的性能保障。其11V的集射极击穿电压和310mW的最大功耗,提供了稳健的工作余量。高达56 @ 5mA, 10V的直流电流增益,意味着出色的放大效率,能以更小的驱动电流获得理想的输出。紧凑的SOT-23-3表面贴装封装,极大地节省了宝贵的PCB空间,非常适合高密度设计。当您需要可靠、高性能的射频解决方案时,通过专业的DIODES代理获取这颗芯片,无疑是通往成功设计的最优路径。让它为您的产品赋予清晰、强大、稳定的无线连接能力,在看不见的频谱战场上,助您一骑绝尘。

  • 型号:BFS17NQTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):11V
  • 频率 - 跃迁:3.2GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率 - 最大值:310mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 5mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • BFS17NQTA的官网价格:1:$0.50000|3000:$0.22011,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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