




BSS138-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-23-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BSS138-7参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里,您是否曾为寻找一颗既能稳定驱动小型负载,又能轻松集成于有限空间的N沟道MOSFET而烦恼?现在,答案就在眼前BSS138-7,这颗来自Diodes Incorporated的经典之作,以其卓越的性价比和可靠的性能,持续为无数创新设计注入活力。
想象一下,在您的便携设备电源管理模块中,它如同一位高效的微型开关,仅需10V的驱动电压便能迅速响应,以低至3.5欧姆的导通电阻,让200mA的电流顺畅通过,将功率损耗降至最低。其高达50V的漏源电压耐受能力,为电路提供了坚实的安全缓冲,而SOT-23-3的超小型封装,更是将“寸土寸金”的PCB空间利用到了极致,让您的产品设计更加纤薄灵动。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围,确保了无论环境如何严苛,它都能稳定如一,是追求可靠性与耐久性的不二之选。
这颗芯片的价值,在具体的应用场景中熠熠生辉。它完美适配于需要低侧开关控制的场合,例如电池供电设备中的负载开关、信号切换电路,或是单片机GPIO口的电平转换与驱动。在智能穿戴、物联网传感器模块、便携式医疗仪器中,BSS138-7都能轻松胜任,以其低阈值电压(Vgs(th)最大仅1.5V)与微小的输入电容(Ciss最大50pF),实现快速开关并降低对驱动电路的要求,从而简化整体设计,加速您的产品上市进程。选择可靠的DIODES代理,您不仅能获得这颗优质芯片,更能得到完整的技术支持与供应链保障。
因此,当您下一次为项目挑选核心开关元件时,BSS138-7提供的不仅仅是一组优秀的参数,更是一个经过市场长期验证的解决方案。它平衡了性能、尺寸与成本,让您能以更少的投入,收获更稳定、更高效的系统表现。尽管其零件状态显示为停产,但在许多现有设计和备货需求中,它依然扮演着关键角色,其经典设计理念与实用价值历久弥新。拥抱BSS138-7,就是拥抱一份历经考验的可靠与高效,让您的创意在精密的电子世界中畅通无阻。
- 型号:BSS138-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):300mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- BSS138-7的官网价格:30000:$0.12500,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















