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BZT52C11S-7供应商
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BZT52C11S-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:单齐纳二极管,SOD-323
- 技术参数:DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C11S-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT52C11S-7齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密器件,以其11V的精准稳压能力和卓越的可靠性,正成为众多工程师在空间受限应用中的首选。它不仅是一个简单的元件,更是您产品稳定运行的守护者,能将不可预测的电压尖峰转化为平稳可靠的能量,确保核心电路在复杂环境中依然从容不迫。
想象一下,在那些对空间和功耗都极为敏感的领域,比如可穿戴设备的电源管理模块、便携式医疗监测仪的核心板,或是物联网传感器的信号调理电路,BZT52C11S-7的价值得以完美展现。它微小的SOD-323封装几乎不占用宝贵的PCB面积,却能提供坚实的11V±5%的电压箝位。无论是用于稳压、电压参考,还是作为瞬态电压抑制器来保护昂贵的微处理器,它都能默默无闻地坚守岗位。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着从严寒的户外设备到高温的汽车电子舱,它都能稳定如一,让您的设计无惧环境挑战。
选择BZT52C11S-7,就是选择了一份经得起验证的品质与效率。它200mW的功率处理能力与仅20欧姆的最大动态阻抗,在同类产品中表现出色,意味着更低的功耗损耗和更快的响应速度。极低的反向漏电流(100nA @ 8V)确保了它在待机或轻载时几乎不消耗额外能量,这对于电池供电设备至关重要。当您通过值得信赖的DIODES代理渠道获取这颗芯片时,您获得的不仅是Diodes原厂的品质保证和稳定供货,更是为您的项目注入了一剂强心针。它将复杂的电压保护问题化繁为简,让您能更专注于核心功能的创新,从而加速产品上市,在市场竞争中赢得先机。
- Diodes公司完整型号:BZT52C11S-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
- 系列:-
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:200mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:SOD-323
- BZT52C11S-7的官网价格:2.04,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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