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BZT52C18LP-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:DIODE ZENER 18V 250MW 2DFN
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C18LP-7参数详情:

在追求极致紧凑与可靠性的电子设计中,您是否曾为寻找一款能在微小空间内提供稳定电压基准的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来一个卓越的解决方案BZT52C18LP-7。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其18V的精准稳压能力和仅0402封装的超小体积,正在重新定义便携式与高密度电路的保护标准。它不仅是一颗元件,更是您产品稳定运行的坚实守护者,让您在激烈的市场竞争中,凭借更高的可靠性与更优的BOM成本脱颖而出。

想象一下,在您精心设计的TWS耳机、智能手表或超薄平板电脑中,空间是何等珍贵。BZT52C18LP-7的用武之地正在于此。它完美适配任何需要18V电压钳位或基准源的场景,无论是保护敏感的MCU输入引脚免受电压尖峰冲击,还是在电源管理电路中提供稳定的参考电压。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着从严寒户外到高温车载环境,它都能泰然自若,确保您的设备在各种极端条件下性能如一。选择它,就是为您的产品注入一颗强健的“心脏”,抵御外界干扰,延长使用寿命。

那么,在众多齐纳二极管中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于其精妙的平衡艺术。它提供了±6.41%的电压容差,在保证精度的同时兼顾了成本效益;250mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的需求,而45欧姆的最大动态阻抗则确保了优异的稳压特性。更值得一提的是,其极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 12.6V)和正向压降(900mV @ 10mA),有效降低了系统功耗,这对于电池供电设备至关重要。当您通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片时,您获得的不仅是一个高品质的元器件,更是一份对产品长期稳定性的承诺和来自全球领先半导体制造商的技术背书。让BZT52C18LP-7成为您下一个爆款设计中不可或缺的一环,开启高效、可靠的产品创新之旅。

  • 型号:BZT52C18LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 18V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
  • 容差:±6.41%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C18LP-7的官网价格:1:$0.46000|3000:$0.09938,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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