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BZT52C2V7-13-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123
  • 技术参数:DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C2V7-13-F参数详情:

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?一个可靠的电压基准或保护元件,往往是决定产品性能稳定与否的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在微小封装内蕴藏巨大能量的稳压利器BZT52C2V7-13-F。这款来自Diodes Incorporated的2.7V齐纳二极管,以其精准的电压箝位能力和卓越的可靠性,正成为众多工程师在空间受限和高可靠性应用中的首选。它不仅仅是一个元件,更是您电路安全的守护神,确保您的核心器件始终工作在安全电压之下,为产品的长期稳定运行奠定坚实基础。

想象一下,在那些对空间和功耗都极为苛刻的场景中,比如便携式医疗监测设备、智能穿戴传感器的电源管理部分,或是物联网节点的核心供电线路,任何电压的浪涌都可能造成灾难性的后果。BZT52C2V7-13-F正是为此而生。它能在电压异常升高时迅速动作,将电压精准地箝位在2.7V,有效保护后级精密的MCU、传感器或存储器。其SOD-123超小型封装,让您能在极其紧凑的PCB布局中轻松实现过压保护,而500mW的功率处理能力和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,则赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气,无论是北方的严寒还是设备内部的高温,它都能稳定如一地工作。

那么,在众多同类产品中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于其综合价值。它提供了±7.41%的电压容差,在保证成本效益的同时,满足了绝大多数应用对基准电压精度的要求。100欧姆的最大动态阻抗意味着它在工作时电压非常稳定,波动极小。同时,极低的反向泄漏电流(仅20A @ 1V)意味着它在待机或正常工作时几乎不增加额外的功耗损耗,这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。选择BZT52C2V7-13-F,就是选择了一份由Diodes品牌背书的品质承诺。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,这不仅是产品品质的保障,更是项目顺利推进的坚强后盾。让这颗高效能的小芯片,为您的创新设计注入强大的稳定基因。

  • 型号:BZT52C2V7-13-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V
  • 容差:±7.41%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • BZT52C2V7-13-F的官网价格:1:$0.21000|10000:$0.03401,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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