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BZT52C3V3S-7-F供应商
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BZT52C3V3S-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-323
- 技术参数:DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C3V3S-7-F参数详情:
在电路设计中,您是否曾为寻找一款既能提供精准电压基准,又能在有限空间内稳定工作的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来的BZT52C3V3S-7-F,正是为解决这一核心痛点而生。这款来自Diodes Incorporated的3.3V齐纳二极管,以其卓越的稳定性和微小的封装尺寸,正在成为众多工程师在精密电路保护与电压调节环节的首选。它不仅是一个简单的元器件,更是您产品可靠性的坚实守护者,让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中,空间是何等宝贵。BZT52C3V3S-7-F采用的SOD-323超小型封装,如同一颗精密的电子心脏,能轻松融入最紧凑的PCB布局。其3.3V的精准齐纳电压(±6%容差),为您的微处理器、存储器或传感器提供稳定的参考电压或箝位保护,有效防止因电压浪涌或瞬态过压导致的损坏。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子中的低压应用,它都能在-65°C至150°C的宽温范围内保持性能稳定,确保您的产品在各种严苛环境下依然可靠运行。
选择BZT52C3V3S-7-F,意味着您选择了一种高效的设计解决方案。它高达200mW的功率处理能力和仅95欧姆的最大动态阻抗,意味着它在提供保护时自身损耗更小,系统能效更高。极低的反向泄漏电流(1V时仅5A)有助于降低待机功耗,这对于电池供电设备至关重要。从原型设计到批量生产,这颗芯片的价值贯穿始终。为了确保您获得100%原装正品与可靠的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。让BZT52C3V3S-7-F成为您下一个成功项目的幕后功臣,用卓越的稳定性为创新保驾护航。
- 型号:BZT52C3V3S-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-323
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:SOD-323
- BZT52C3V3S-7-F的官网价格:1:$0.25000|3000:$0.05147,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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