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BZT52C3V3TQ-7-F供应商
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BZT52C3V3TQ-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-523
- 技术参数:DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C3V3TQ-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?当精密传感器或微处理器需要一个坚如磐石的3.3V基准时,一个微小的浪涌或噪声就可能导致数据错误甚至系统故障。这正是BZT52C3V3TQ-7-F大显身手的舞台。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,不仅仅是一个元件,更是您电路可靠性的守护神。它凭借±6.06%的严格容差,将3.3V的基准电压牢牢锁定,确保您的核心电路始终工作在预设的“安全区”内,从源头上杜绝了因电压漂移带来的性能不确定性。
想象一下,在您的手持医疗设备、智能穿戴装置或物联网传感器模块中,空间是何等宝贵,而可靠性要求又是何等苛刻。BZT52C3V3TQ-7-F以其微小的SOD-523封装完美契合了这些需求。它安静地工作在-65°C到150°C的广阔温度范围内,无论是严寒户外还是设备内部的热点区域,都能稳定如一地提供电压箝位和保护。它就像一位不知疲倦的哨兵,在电源输入端默默值守,将可能危害后级敏感IC的过电压瞬间吸收,确保您的消费电子、通信模块或便携式设备能够经受住日常使用中各种复杂电气环境的考验。
选择BZT52C3V3TQ-7-F,就是选择了一份经过市场验证的安心。其低至95欧姆的最大动态阻抗意味着在负载变化时,它能更有效地维持电压稳定,而仅5A @ 1V的反向泄漏电流则最大限度地减少了待机功耗,这对于电池供电设备至关重要。将这颗高效能、高可靠性的保护元件融入您的设计,不仅能提升产品整体品质,更能显著降低后期维护风险和成本。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,这不仅是品质的保证,更是项目顺利推进的坚实后盾。
- 型号:BZT52C3V3TQ-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-523
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
- 容差:±6.06%
- 功率 - 最大值:300 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商器件封装:SOD-523
- BZT52C3V3TQ-7-F的官网价格:1:$0.25000|3000:$0.05070,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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