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BZT52C3V6LP-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C3V6LP-7参数详情:

在追求极致紧凑与稳定性的电子设计中,您是否曾为寻找一颗既能精准稳压、又能在有限空间内可靠工作的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来一个堪称微型电路“定海神针”的解决方案BZT52C3V6LP-7。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其3.6V的精准稳压能力和仅0402封装的超小体积,正在重新定义便携式与高密度电子设备的电源保护标准。

想象一下,在您精心设计的智能手表、TWS耳机或超薄物联网传感器中,每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵。BZT52C3V6LP-7正是为此而生。它能在-65°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作,确保您的设备无论身处冰天雪地还是炎热环境,核心电压基准都坚如磐石。其±6%的严格容差和仅90欧姆的最大动态阻抗,意味着它不仅能提供精确的电压箝位,更能快速响应瞬态波动,有效吸收浪涌,为后级敏感的MCU、传感器或射频模块筑起一道坚固的防线。选择它,就是为您的产品选择了一份在多变环境中始终如一的性能保障。

为何越来越多的工程师在众多选项中青睐这颗芯片?答案在于它完美平衡了性能、尺寸与可靠性。在消费电子领域,它是实现产品轻薄化、长续航的关键一环;在工业控制模块中,它是保证信号链稳定、抗干扰的无声卫士。其250mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的过压保护需求,而低至5A的反向漏电流则最大限度地减少了静态功耗损耗,这对于电池供电设备至关重要。当您需要稳定、高效且节省空间的电压参考或保护方案时,BZT52C3V6LP-7无疑是经过市场验证的明智之选。为了确保您能便捷地获得这颗优质芯片及其完整的技术支持,我们推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购,从而保障货源的正品性与供应链的稳定性。

归根结底,在竞争激烈的市场里,产品的可靠性往往藏在最微小的元器件之中。BZT52C3V6LP-7不仅仅是一个组件,它是一份对产品品质的承诺,是帮助您的设计在尺寸、功耗和稳健性之间找到黄金平衡点的得力助手。立即将它纳入您的物料清单,体验它如何以微小的身躯,为您的整个系统带来巨大的稳定价值。

  • 型号:BZT52C3V6LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C3V6LP-7的官网价格:1:$0.48000|3000:$0.10527,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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