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BZT52C4V3SQ-7-F供应商
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BZT52C4V3SQ-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-323
- 技术参数:DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C4V3SQ-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?一个可靠的电压基准或保护元件,往往是决定产品长期稳定运行的关键。今天,我们为您带来一款在微小封装内蕴藏巨大能量的解决方案BZT52C4V3SQ-7-F。这款来自Diodes Incorporated的4.3V齐纳二极管,以其精准的电压钳位能力和卓越的稳定性,正在成为众多工程师在空间受限、性能要求严苛场景下的首选。
想象一下,在您精巧的便携式设备、精密的传感器模块或紧凑的电源管理单元中,BZT52C4V3SQ-7-F正默默发挥着“电压卫士”的作用。它能在瞬间将过高的电压稳定在4.3V,有效保护后端敏感的IC免受浪涌冲击。其高达200mW的功率处理能力和低至90欧姆的动态阻抗,意味着它不仅反应迅速,更能高效地耗散多余能量,确保电路在-65°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作。无论是为微处理器提供精准的参考电压,还是在通信接口上进行ESD防护,它都能轻松胜任,让您的设计从容应对各种复杂环境。
选择BZT52C4V3SQ-7-F,就是选择了一份安心与高效。其SOD-323超小型封装,完美契合现代电子产品小型化、高密度的趋势,为您节省宝贵的PCB空间。±6.98%的严格容差和极低的反向泄漏电流,保证了电压基准的精确性和电路的低功耗特性。这意味着,您无需在性能、尺寸和可靠性之间做出妥协。当您需要稳定、可靠且易于采购的齐纳二极管解决方案时,通过值得信赖的DIODES中国代理,BZT52C4V3SQ-7-F能快速融入您的供应链,加速产品从设计到量产的进程,为您的产品赢得市场先机注入坚实的技术内核。
- 型号:BZT52C4V3SQ-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-323
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
- 容差:±6.98%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:SOD-323
- BZT52C4V3SQ-7-F的官网价格:1:$0.27000|3000:$0.05431,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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