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BZT52C5V1LP-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:DIODE ZENER 5.1V 250MW 2DFN
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C5V1LP-7参数详情:

在追求极致紧凑的电路设计中,您是否曾为寻找一款既能提供精准电压基准,又几乎不占用宝贵PCB空间的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来的BZT52C5V1LP-7,正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的明星产品,以其微型化的0402封装和卓越的电气性能,重新定义了小型化电子设备中电压保护与基准设定的可能性,让您的设计在稳定与精密的道路上更进一步。

想象一下,在您精心设计的便携式医疗监测设备、TWS蓝牙耳机或是超薄智能手表中,每一平方毫米的电路板空间都价值千金。BZT52C5V1LP-7正是为此类空间受限的应用场景量身打造。它提供精准的5.1V齐纳电压,容差控制在±6%以内,如同一名忠诚的电压哨兵,时刻守护着您的敏感IC和电路节点,有效抑制电压尖峰和瞬态干扰。其高达250mW的功率处理能力和低至60欧姆的动态阻抗,确保了在提供可靠保护的同时,自身功耗极低,不会成为系统能效的短板。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,更是让它能够从容应对各种严苛环境,无论是极地探险设备还是汽车引擎舱附近的电子模块,都能稳定发挥。

选择BZT52C5V1LP-7,您选择的不仅仅是一个元件,更是一份对设计可靠性的坚定承诺。它让您在实现电路功能的同时,无需在性能与尺寸之间做出妥协。其极低的反向漏电流(仅2A @ 2V)和正向压降(900mV @ 10mA),意味着它对系统待机功耗和信号完整性的影响微乎其微。当您需要为产品注入这份稳定与精密的基因时,通过值得信赖的DIODES授权代理进行采购,是确保您获得原装正品、享受完整技术支持和稳定供货保障的最佳途径。让BZT52C5V1LP-7成为您下一个爆款产品中那个虽小却至关重要的“稳定之锚”,助力您的创意在激烈的市场竞争中稳稳胜出。

  • 型号:BZT52C5V1LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 5.1V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C5V1LP-7的官网价格:1:$0.50000|3000:$0.10965,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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