




BZT52C6V8-13-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123
- 技术参数:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C6V8-13-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而担忧?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT52C6V8-13-F齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其精准的6.8V稳压能力和卓越的可靠性,正成为众多工程师在空间受限应用中的首选。它不仅是一个简单的元件,更是您产品稳定运行的守护者,能将不可预测的电压尖峰转化为平滑可靠的能量,确保核心电路在复杂环境中依然坚如磐石。
想象一下,在紧凑的智能穿戴设备内部,空间寸土寸金,每一毫瓦的功耗都至关重要。DIODES代理商广泛供应的BZT52C6V8-13-F,凭借其微小的SOD-123封装,能够轻松融入其中,为敏感的传感器或微处理器提供精准的电压箝位,防止过压损伤。同样,在车载电子模块、便携式医疗仪器或是工业控制板的电源管理部分,它都能默默值守,在-65°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作,确保从冰天雪地到炎炎夏日,您的设备性能始终如一。它就像电路中的“定海神针”,无论外部供电如何起伏,都能在关键节点维持一个稳定的6.8V窗口。
选择BZT52C6V8-13-F,意味着您选择了一份经过市场验证的安心。其±6%的严格容差和仅15欧姆的最大动态阻抗,带来了出色的电压调节精度和响应速度。500mW的功率处理能力,足以应对大多数低功耗场景下的浪涌冲击。更值得一提的是,其极低的反向泄漏电流(仅2A @ 4V)和正向压降特性,有效提升了系统能效,减少了不必要的能量损耗。无论是用于电压基准、稳压还是瞬态抑制,这颗芯片都能以极高的性价比,简化您的设计,强化产品的耐用性。让BZT52C6V8-13-F成为您下一个项目的标准配置,体验由卓越元件带来的整体性能提升和无可挑剔的稳定性。
- 型号:BZT52C6V8-13-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-123
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:500 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-123
- 供应商器件封装:SOD-123
- BZT52C6V8-13-F的官网价格:1:$0.21000|10000:$0.03401,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















