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BZT52C6V8LP-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:DIODE ZENER 6.8V 250MW 2DFN
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C6V8LP-7参数详情:

在追求极致小型化的电子设计中,您是否曾为寻找一颗既能提供精准电压基准,又几乎不占用宝贵PCB空间的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来的BZT52C6V8LP-7,正是为解决这一痛点而生。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其6.8V的精准稳压能力和仅0402封装的超小尺寸,正在重新定义紧凑型电路的保护与参考标准。它不仅仅是一个元件,更是您产品实现高可靠性、高集成度的秘密武器。

想象一下,在您的手持医疗设备、智能穿戴装置或超薄消费电子产品中,每一平方毫米的电路板都价值千金。BZT52C6V8LP-7的登场,让您在电源管理、信号调理和ESD保护等关键环节,能够游刃有余地进行布局。它出色的6.8V±6%稳压精度,确保敏感电路免受电压浪涌的侵害;低至15欧姆的动态阻抗,意味着它在工作时电压更稳定,波动更小。无论是为微处理器内核提供参考电压,还是在通信接口上进行瞬态电压抑制,它都能默默守护,确保系统心脏的平稳跳动。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,更是让它能从容应对从严寒户外到高温机箱内的各种严苛环境,可靠性毋庸置疑。

那么,在众多齐纳二极管中,为何独独选择它?答案在于极致的价值平衡。它用250mW的功率处理能力,在微型封装内实现了不妥协的性能;2A@4V的超低反向漏电流,显著降低了待机功耗,对于电池供电设备而言,这意味着更长的续航。选择BZT52C6V8LP-7,就是选择了一种设计哲学:在有限的空间内,追求无限的可能。它让您的设计摆脱体积束缚,向更轻、更薄、更可靠迈进。如果您正在寻找稳定可靠的供应伙伴,专业的DIODES芯片代理将是您获取这颗优质芯片、并获得全面技术支持的有力保障。立即采用BZT52C6V8LP-7,为您的下一代创新产品注入一颗强大而稳定的“芯”。

  • 型号:BZT52C6V8LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C6V8LP-7的官网价格:1:$0.46000|3000:$0.09938,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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