




BZT52C9V1LP-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
- 技术参数:DIODE ZENER 9.1V 250MW 2DFN
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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BZT52C9V1LP-7参数详情:
在追求极致紧凑与可靠性的电子设计中,您是否曾为寻找一颗既能提供精准电压基准,又能节省宝贵PCB空间的齐纳二极管而烦恼?现在,答案就在眼前。让我们隆重介绍BZT52C9V1LP-7,这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,正是为满足现代高密度、高性能应用而生的理想电压钳位与基准解决方案。
想象一下,在您的手持设备、可穿戴产品或是精密的传感器模块中,电路板空间寸土寸金。BZT52C9V1LP-7凭借其微小的0402(1006公制)封装,如同一颗隐形的守护者,轻松融入最紧凑的布局,为您释放更多空间去实现其他复杂功能。它提供的9.1V±6%的精准齐纳电压,确保了您的关键电路节点电压稳定如山,有效防止过压冲击,保护您珍贵的核心IC。其低至500nA@6V的反向漏电流,意味着在待机或低功耗状态下,它几乎不“偷走”任何电量,这对于延长电池寿命的设备而言,价值无可估量。
这颗芯片的价值远不止于参数表。在物联网终端的电源管理路径中,它是可靠的电压箝位器;在便携式医疗设备的信号调理电路中,它是稳定的电压基准源;在汽车电子苛刻的-65°C至150°C工作温度范围内,它依然能保持稳定性能,展现卓越的可靠性。选择BZT52C9V1LP-7,就是选择了一种将高性能、高可靠性与微型化完美结合的设计哲学。它让您的产品在激烈的市场竞争中,不仅拥有更小巧的身形,更具备由内而外的稳健“芯”脏。
为何众多领先企业都将BZT52C9V1LP-7纳入其优选器件清单?因为它代表了经过市场验证的卓越品质与Diodes先进的半导体工艺。其250mW的功率处理能力与仅15欧姆的最大动态阻抗,在瞬态过压事件中能迅速响应,有效分流,为后端电路筑起坚固防线。从原型设计到量产,这颗芯片都能提供高度一致的性能,极大降低了您的设计风险和供应链不确定性。为确保您能获得稳定、正品的货源与专业的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,这是保障项目顺利推进和产品长期可靠性的关键一步。
- 型号:BZT52C9V1LP-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1006-2
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 9.1V 250MW 2DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:250 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
- BZT52C9V1LP-7的官网价格:1:$0.46000|3000:$0.09938,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















