




BZT52HC3V9WF-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123F
- 技术参数:DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F
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BZT52HC3V9WF-7参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?当关键信号需要精准的3.9V基准,或是敏感元件亟需一道可靠的保护屏障时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您电路板上沉默的守护者。今天,我们向您隆重介绍BZT52HC3V9WF-7,这颗来自Diodes Incorporated的精密稳压芯片,正是为解决此类核心挑战而生。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品可靠性、简化设计复杂度的得力伙伴。
想象一下,在紧凑的便携式设备内部,空间寸土寸金,而性能要求却丝毫不打折扣。BZT52HC3V9WF-7以其微小的SOD-123F封装,轻松融入高密度PCB布局,为您的智能手机、TWS耳机、可穿戴设备提供精准的电压钳位和稳压功能。无论是作为ADC的参考电压源,确保数据采集的准确性,还是在电源路径上担任瞬态电压抑制(TVS)角色,保护后级昂贵的MCU或传感器,它都能在-65°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作,让您的产品从容应对从极寒到酷热的各类使用环境。在物联网模块、消费电子主板、乃至汽车电子辅助系统中,它的身影无处不在,默默保障着系统心脏的平稳跳动。
为何众多工程师在需要3.9V稳压方案时,会优先考虑BZT52HC3V9WF-7?答案在于其背后卓越的价值组合。±5.13%的严格容差带来了高度一致的电压精度,大幅减少了电路调试中的变量。仅95欧姆的最大动态阻抗意味着它在负载变化时能更好地维持电压稳定,而低至3A@1V的反向泄漏电流则显著降低了待机功耗,这对于电池供电设备至关重要。375mW的功率处理能力,配合良好的热性能,确保了在突发过压情况下的耐用性。选择它,就是选择了一份由Diodes先进工艺保障的卓越品质与长期可靠性。若您正在寻找稳定可靠的供应渠道,专业的DIODES代理商将为您提供从样品到批量生产的全方位支持,让创新之旅再无后顾之忧。
- 型号:BZT52HC3V9WF-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-123F
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V
- 容差:±5.13%
- 功率 - 最大值:375 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商器件封装:SOD-123F
- BZT52HC3V9WF-7的官网价格:1:$0.35000|3000:$0.07268,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















