




BZX84C12W-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-323
- 技术参数:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZX84C12W-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZX84C12W-7-F就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的12V齐纳二极管,以其精准的电压箝位能力和卓越的稳定性,成为工程师们构建稳健电路的秘密武器。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的坚实守护者,确保您的设计在各种环境下都能稳定运行,有效延长设备寿命,提升终端用户体验。
想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载辅助系统中,空间极其宝贵,而性能要求却丝毫不能妥协。BZX84C12W-7-F正是为此而生。它采用超紧凑的SOT-323封装,占地面积微小,却能提供高达200mW的功率处理能力,完美适应高密度PCB布局。无论是作为12V电压基准源,为ADC或比较器提供精准参考;还是用于瞬态电压抑制,保护敏感的MOSFET栅极或IC输入引脚免受意外浪涌损害;亦或在低功耗电路中实现简单的电压调节,它都能游刃有余。其宽广的工作温度范围(-65°C至125°C)意味着它能从容应对从工业严苛环境到夏日车内高温的各种挑战,让您的产品无惧温度变化,始终如一。
选择BZX84C12W-7-F,就是选择了一份安心与高效。其±5%的严格容差确保了电压基准的一致性,减少了系统校准的复杂度。极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 8V)意味着它在待机或关断状态下几乎不消耗额外功率,这对于电池供电设备至关重要,能显著延长续航时间。同时,其出色的动态阻抗特性保证了在负载变化时电压依然稳定。为了确保您获得的是原装正品与可靠的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。这不仅能保障芯片的卓越品质和稳定供应,更能让您的产品从源头就具备市场竞争力。让BZX84C12W-7-F成为您下一个成功设计的基石,用微小的投入,换取系统性能的巨大飞跃和长期运行的绝对可靠。
- 型号:BZX84C12W-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:SOT-323
- BZX84C12W-7-F的官网价格:1:$0.25000|3000:$0.05147,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















