




BZX84C18T-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-523
- 技术参数:DIODE ZENER 18V 150MW SOT523
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZX84C18T-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的不确定性而烦恼?当电路需要精准的18V基准或保护时,一颗可靠、高效的齐纳二极管就是您系统稳定运行的“定海神针”。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品BZX84C18T-7-F。它不仅仅是一个简单的电压调节元件,更是您提升产品可靠性、简化设计流程、控制整体成本的关键伙伴。凭借其卓越的±6%电压精度和仅为45欧姆的动态阻抗,它能为您提供异常精准和稳定的18V电压基准,确保您的核心电路在任何工况下都能获得纯净、可靠的电压供应,从而显著提升最终产品的性能和耐用度。
想象一下,在您的手持设备、便携式医疗仪器或精密的传感器模块中,空间是何等宝贵。BZX84C18T-7-F采用的超小型SOT-523封装,正是为应对这种挑战而生。它能在极其有限的空间内,为您的电路提供过压保护、电压箝位或基准电压生成功能。无论是保护敏感的微处理器输入端口免受电压尖峰冲击,还是在低功耗的电池供电设备中建立一个稳定的参考点,这颗芯片都能游刃有余。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着它能够从容应对从工业自动化到汽车电子等各种严苛环境,让您的设计无惧温度挑战,拓展更广阔的应用疆域。
选择BZX84C18T-7-F,就是选择了一份安心与高效。它150mW的功率处理能力经过精心优化,在提供足够保护的同时实现了出色的能效。极低的反向漏电流(仅100nA @ 12.6V)意味着它在待机或休眠状态下几乎不消耗额外能量,这对于延长电池寿命至关重要。正向压降低至900mV @ 10mA,进一步提升了整体电路的效率。当您从可靠的DIODES授权代理处获取这颗芯片时,您获得的不仅是原装正品的质量保证和稳定的供货渠道,更是将Diodes Incorporated数十年的半导体设计与制造经验融入您产品的机会。它将复杂的电压管理任务化繁为简,让您能够更专注于核心功能的创新与优化,从而加速产品上市进程,在激烈的市场竞争中赢得先机。
- 型号:BZX84C18T-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-523
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 18V 150MW SOT523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:150 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-523
- 供应商器件封装:SOT-523
- BZX84C18T-7-F的官网价格:3000:$0.06550,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















