




BZX84C22S-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
- 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 22V SOT-363
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZX84C22S-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动带来的不确定性而烦恼?当精密设备需要可靠的电压基准,或是信号路径需要过压保护时,一颗性能卓越的齐纳二极管阵列就是您电路中的“定海神针”。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品BZX84C22S-7-F,它正是为解决这些核心挑战而生,以其卓越的稳定性和紧凑的设计,为您的创新注入坚实保障。
想象一下,在您的便携式医疗监测设备、智能穿戴传感器或工业控制模块中,空间何其宝贵,而性能要求又何其严苛。DIODES授权代理为您提供的BZX84C22S-7-F,完美平衡了这两大需求。它采用超小型SOT-363封装,在电路板上仅占据微小的面积,却集成了两个独立的22V齐纳二极管。这意味着您无需为每个保护点单独布局分立器件,大大简化了PCB设计,节省了宝贵的空间,让您的产品能够朝着更轻薄、更紧凑的方向迈进。其±6%的精密容差和仅55欧姆的最大动态阻抗,确保了在22V标称电压附近具有极其稳定的钳位特性,无论是作为电压基准还是瞬态电压抑制,都能提供精准可靠的性能。
这款芯片的应用场景广泛而深入。在消费电子领域,它可以为USB端口、音频编解码器或显示驱动电路提供有效的ESD保护和电压箝位,提升产品的耐用性。在汽车电子中,它能耐受-65°C到150°C的宽温工作范围,适应严苛的车载环境,保护CAN总线、传感器接口免受电压浪涌冲击。对于物联网节点和电池供电设备,其低至100nA的反向漏电流和仅900mV的正向压降,有助于最大限度地降低功耗,延长设备续航。选择BZX84C22S-7-F,就是选择了一种高效的设计哲学用最少的元件实现最可靠的功能,让您的产品在稳定性、尺寸和成本之间找到最佳平衡点。
最终,当您审视选型理由时,会发现BZX84C22S-7-F带来的价值远超其本身。它不仅仅是一个元件,更是提升产品整体可靠性和市场竞争力的关键一环。其200mW的功率处理能力足以应对多数低功耗场景的过压事件,而表面贴装型式则完全适配现代自动化生产线,保障量产的一致性与效率。选择它,意味着您选择了Diodes Incorporated深厚的半导体技术底蕴与品质承诺,意味着您的设计将获得从原型到量产的全周期稳定支持。让BZX84C22S-7-F成为您下一个成功项目的默默守护者,为创意保驾护航,让稳定成为您产品最动人的底色。
- 型号:BZX84C22S-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- 描述:DIODE ZENER ARRAY 22V SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 配置:2 个独立式
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15.4 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- BZX84C22S-7-F的官网价格:3000:$0.07568,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















