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BZX84C6V8T-7-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-523
  • 技术参数:DIODE ZENER 6.8V 150MW SOT523
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZX84C6V8T-7-F参数详情:

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准时,BZX84C6V8T-7-F就是您值得信赖的守护者。这款来自Diodes Incorporated的6.8V齐纳二极管,以其±5.88%的精准容差和仅15欧姆的低动态阻抗,为您提供坚如磐石的电压箝位能力。它不仅仅是一个元件,更是您产品性能稳定、寿命延长的关键保障。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载娱乐系统的电源管理电路中,微小的电压尖峰都可能导致数据错误甚至硬件损坏。BZX84C6V8T-7-F正是为此而生。它能在-65°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作,确保您的设备无论是在炎夏还是寒冬,都能保持一致的性能。其SOT-523超小型封装,完美契合现代电子产品对高密度PCB布局的追求,让您在有限的空间内实现更强大的功能集成。选择我们,就是选择与全球领先的DIODES芯片代理合作,获得从选型到供应的全方位专业支持。

为什么众多工程师在需要6.8V基准或保护时,会毫不犹豫地选择它?答案在于其卓越的价值组合。150mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的需求,而低至2A@4V的反向泄漏电流则显著提升了系统的能效。这意味着,您不仅获得了一个高性能的电压参考源,更是在为产品的整体能耗优化贡献力量。它的正向压降仅为900mV@10mA,在需要双向保护的电路中表现同样出色。从原型设计到量产,BZX84C6V8T-7-F都能以一致的品质和可靠性,加速您的产品上市进程,降低后期维护风险。让它成为您下一个成功设计的秘密武器吧!

  • 型号:BZX84C6V8T-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±5.88%
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • BZX84C6V8T-7-F的官网价格:1:$0.47000|3000:$0.06354,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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