




D6V3E1U2LP-7B
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:X1-DFN1006-2
- 技术参数:TVS DIODE 6.3VWM X1DFN10062
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
D6V3E1U2LP-7B参数详情:
当您的精密电路面临瞬间浪涌冲击时,能否有一道坚固而迅捷的防线?D6V3E1U2LP-7B就是您一直在寻找的答案。这款来自Diodes Incorporated的TVS二极管,以其高达25A的峰值脉冲电流处理能力和仅10.5V的箝位电压,为您的高敏感度电子设备构筑起一道无形的能量屏障。它不仅能在纳秒级时间内响应并吸收高达300W的浪涌能量,更能将危险电压牢牢限制在安全阈值内,确保您核心IC的绝对安全,让产品可靠性从设计之初就赢在起跑线上。
想象一下,无论是便携式消费电子在插拔充电时产生的电压尖峰,还是工业传感器在复杂电磁环境下面临的瞬态干扰,甚至是车载电子系统中难以预测的负载突降,D6V3E1U2LP-7B都能从容应对。其通用型设计让它能无缝融入从数据线接口保护到电源轨防护的广泛场景。在那些空间极其宝贵的超薄设备或高密度电路板中,它微小的0402封装尺寸更是展现出了巨大的价值,让您在追求极致防护性能的同时,无需在PCB布局上做出任何妥协。选择我们的DIODES授权代理,您获得的不仅仅是这颗芯片,更是一整套从选型支持到稳定供应的解决方案。
为什么越来越多的工程师将D6V3E1U2LP-7B列为关键物料的首选?答案在于它精准的性能平衡艺术。它并非一味追求超低的箝位电压而牺牲响应速度,也非只顾浪涌能力而忽略静态功耗。其6.3V的反向断态电压与6.5V的最小击穿电压,为3.3V或5V逻辑电路提供了恰到好处的保护窗口。在-65°C至150°C的极端工作温度范围内,性能依然稳定如一,这意味著您的产品无论是应用于严寒的户外设备还是高温的汽车引擎附近,都能获得始终如一的守护。这颗芯片的价值,远不止于参数表上的数字,它带来的是产品全生命周期内故障率的显著降低、售后成本的节约以及品牌口碑的坚实积累,是您打造下一代耐用型电子产品的智慧之选。
- 型号:D6V3E1U2LP-7B
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1006-2
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 6.3VWM X1DFN10062
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态(典型值):6.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):6.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):10.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):25A
- 功率 - 峰值脉冲:300W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:200pF @ 1MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
- D6V3E1U2LP-7B的官网价格:1:$0.26000|10000:$0.04317,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















