




D8V0X1B2LP-7B
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:X1-DFN1006-2
- 技术参数:TVS DIODE 8VWM 18.5VC X1DFN10062
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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D8V0X1B2LP-7B参数详情:
想象一下,您的精密电子设备正稳定运行,突然遭遇一次意外的电压尖峰或静电放电这种瞬间的冲击足以让核心电路受损,导致数据丢失甚至设备永久性失效。如何为您的设计构筑一道坚固可靠的防线?答案就在D8V0X1B2LP-7B这颗卓越的瞬态电压抑制器(TVS)二极管之中。它不仅仅是保护,更是为您的产品可靠性注入的一剂强心针。
这颗来自Diodes Incorporated的精巧卫士,专为抵御现实世界中的电气过应力而生。其双向通道设计,意味着无论正向还是反向的浪涌威胁,都能被它敏锐地捕捉并迅速钳制。当反向电压超过8V时,它便开始严阵以待;在击穿电压10V时果断响应;而面对最严酷的瞬态冲击,它能将钳位电压牢牢控制在18.5V以下,以高达4A的峰值脉冲电流吸收能力,将危险的浪涌能量瞬间消化于无形。这一切保护动作,都在纳秒级的时间内完成,快到让您的敏感电路几乎察觉不到威胁的来临。
它的价值在无数应用场景中闪闪发光。无论是智能手机、可穿戴设备中娇贵的射频前端和高速数据端口,还是工业传感器、车载电子中需要应对复杂电磁环境的接口,D8V0X1B2LP-7B都是理想的“隐形保镖”。其超低的0.35pF电容,确保了在高达1MHz甚至更高频率下,对信号完整性几乎零干扰,这对于USB、HDMI、天线线路等高速信号保护至关重要。从-65°C到150°C的极端工作温度范围,让它能从容应对户外严寒或设备内部高温的挑战,可靠性贯穿产品全生命周期。
选择D8V0X1B2LP-7B,就是选择了一份安心的保障和卓越的设计自由度。它采用微小的0402表面贴装封装,为日益紧凑的PCB布局节省了宝贵空间,让您的设计更轻薄、更集成。它简化了您的电路保护方案,无需复杂的多器件组合,一颗芯片即可提供双向的全面防护,大幅降低BOM成本和设计复杂度。当您追求产品不仅要功能强大,更要坚若磐石时,这颗芯片便是实现品质飞跃的关键拼图。为确保您能稳定、便捷地获得这款优质组件,我们推荐您通过可靠的DIODES一级代理进行采购,从而保障货源的正规与供应的顺畅。
在竞争激烈的市场,产品的耐用性和稳定性往往是决定口碑与销量的分水岭。为您的下一个项目配备D8V0X1B2LP-7B,不仅仅是增加了一个电子元件,更是为您产品的市场成功投保了一份高额保单。它默默守护,让您的创新毫无后顾之忧地绽放光彩。
- 型号:D8V0X1B2LP-7B
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1006-2
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 8VWM 18.5VC X1DFN10062
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态(典型值):8V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):10V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):18.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):4A
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:0.35pF @ 1MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
- D8V0X1B2LP-7B的官网价格:10000:$0.04700,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















