DDTC113TUA-7-F

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否曾为传统分立晶体管电路占用过多空间、调试复杂而烦恼？现在，一颗集成了偏置电阻的微型解决方案正静待您的发现。DDTC113TUA-7-F正是为此而生，它将NPN晶体管与1kΩ基极电阻精巧地集成在微小的SOT-323封装内，为您节省高达70%的PCB空间，让电路设计瞬间变得清爽而高效。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或需要高密度布线的通信接口电路中，这颗芯片能轻松扮演信号放大、开关驱动的核心角色。其高达50V的集射极击穿电压和100mA的集电极电流能力，足以应对各种低压到中压场景的严苛要求，无论是驱动小型继电器、LED阵列，还是作为数字信号的缓冲级，它都能稳定可靠地工作。其高达250MHz的跃迁频率，更能确保在需要快速响应的场合下，信号传输毫无迟滞。

选择DDTC113TUA-7-F，意味着您选择了一种经过市场验证的成熟与可靠。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目或对稳定性有极致要求设计的绝佳选择。通过值得信赖的DIODES芯片代理，您依然可以获取到高品质的货源，确保您的生产连续性。这颗芯片的价值不仅在于其参数，更在于它为您带来的简化设计流程、提升生产良率以及缩短产品上市时间的综合优势。它不仅仅是一个元件，更是您实现产品小型化、智能化愿景的得力助手。

• 型号:DDTC113TUA-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:仅 R1
• 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁:250 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• DDTC113TUA-7-F的官网价格：1:$0.23000|3000:$0.04654，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。