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DDTD142JU-7-F供应商
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DDTD142JU-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管,封装:SOT-323
- 技术参数:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DDTD142JU-7-F参数详情:
在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中,工程师们是否常常为如何在有限空间内实现稳定可靠的信号放大与开关控制而苦恼?现在,答案已经揭晓。让我们隆重介绍DDTD142JU-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的预偏置NPN晶体管,正是为突破空间与性能瓶颈而生的微型引擎。它集成了精密的内部偏置电阻,将传统分立方案所需的多个元件浓缩于一枚微小的SOT-323封装内,不仅为您节省了高达70%的PCB空间,更简化了设计流程,让您的产品在起跑线上就赢得先机。
想象一下,在您的手持设备、可穿戴电子产品或是那些对体积极其敏感的物联网传感器模块中,DDTD142JU-7-F正默默发挥着核心作用。它高达50V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力,确保了在音频放大、电平转换、负载开关等关键电路中的稳定表现。无论是驱动小型继电器,还是作为微控制器的接口缓冲,它都能以极低的饱和压降(仅300mV)和高达200MHz的跃迁频率,实现高效、快速、低损耗的能量与信号传递。这意味着更长的电池续航、更清晰的信号质量以及更可靠的整体系统。
选择DDTD142JU-7-F,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其预偏置设计消除了外部电阻选型和布局的烦恼,内置的470欧姆基极电阻与10千欧姆发射极电阻提供了稳定且一致的偏置点,大幅提升了生产良率与产品一致性。对于寻求稳定供应链和高质量元件的您,通过官方授权的DIODES代理商进行采购,是保障正品与及时技术支持的最佳途径。这颗功率达200mW的微型冠军,正等待着嵌入您的下一个创新设计,以卓越的性能和极致的集成度,助您轻松驾驭复杂挑战,将创意高效转化为市场领先的产品。
- 型号:DDTD142JU-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
- 包含电阻器:R1 和 R2
- 电阻器 - 基极 (R1):470 Ohms
- 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
- 频率 - 跃迁:200 MHz
- 功率 - 最大值:200 mW
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:SOT-323
- DDTD142JU-7-F的官网价格:1:$0.31000|3000:$0.06505,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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