DF10S-T

当您的电源设计面临空间紧张、效率要求苛刻的挑战时，是否曾想过，一颗小小的桥式整流器竟能成为破局的关键？今天，我们为您带来的DF10S-T，正是这样一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化生产流程、赢得市场竞争的得力助手。

想象一下，在各类适配器、充电器、家用电器以及工业控制电源的紧凑电路板上，DF10S-T凭借其表面贴装设计和DF-S封装，能轻松融入高密度布局，为您节省宝贵的PCB空间。其高达1kV的峰值反向电压和1A的平均整流电流，确保了在严苛的电压波动下依然稳定工作，将交流电高效、可靠地转换为直流电。无论是应对突然的电压尖峰，还是在-65°C到150°C的宽广结温范围内持续运行，它都展现出卓越的稳健性，让您的终端产品无惧复杂环境考验。

选择DF10S-T，就是选择了一份安心与高效。它1.1V@1A的低正向压降特性，直接意味着更低的导通损耗和更高的工作效率，有助于提升整机能效并减少发热。同时，极低的反向泄漏电流（仅10A @ 1000V）进一步保障了系统的待机功耗和整体性能。对于追求快速上市和稳定供应链的您而言，通过值得信赖的DIODES芯片代理获取这款有源状态的成熟产品，意味着您可以立即将其投入设计，加速产品开发周期，并享受来自Diodes Incorporated（美台半导体）的品质保障与技术支持。

• 型号:DF10S-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DF-S
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器
• 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管类型:单相
• 技术:标准
• 电压 - 峰值反向（最大值）:1 kV
• 电流 - 平均整流 (Io):1 A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 1000 V
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-SMD，鸥翼
• 供应商器件封装:DF-S
• DF10S-T的官网价格：1:$0.85000|1500:$0.22173，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。