




DL4935-13-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:二极管 - 整流器 - 单,封装:DO-213AB,MELF
- 技术参数:DIODE GEN PURP 200V 1A MELF
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DL4935-13-F参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计中,您是否曾为整流方案的性能瓶颈而困扰?当反向恢复时间过长导致开关损耗激增,或是反向泄漏电流悄悄蚕食系统能效时,选择一颗真正快速、高效的整流二极管,往往成为决定产品成败的关键一步。今天,我们为您带来的DL4935-13-F,正是这样一款旨在突破常规、释放设计潜能的卓越解决方案。
想象一下,在开关电源的二次侧整流、高频逆变器或是各类AC-DC转换模块中,一颗二极管需要以极快的速度完成从导通到截止的切换。DL4935-13-F凭借其快如闪电的200ns反向恢复时间,能显著降低开关过程中的能量损耗,让您的电源系统运行得更凉爽、更安静,整体效率得到实实在在的提升。其高达200V的反向耐压和1A的平均整流电流,为各种严苛的工业与消费电子应用提供了宽裕的安全余量和稳定的功率处理能力。这意味着,无论是面对电压尖峰还是持续的负载波动,它都能稳如磐石,确保系统长期稳定运行。
这颗芯片的价值远不止于参数表上的数字。它采用经典的MELF封装,表面贴装设计让自动化生产变得轻而易举,同时提供了优异的散热性能和机械强度。在紧凑的PCB空间里,它既能节省宝贵的布局面积,又能凭借其快速恢复特性,帮助您轻松应对日益增长的高频化设计趋势。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的整流电路时,DL4935-13-F无疑是您值得信赖的伙伴。选择它,就是选择了一种对性能毫不妥协的设计哲学。
为何众多领先企业在其关键设计中信赖DL4935-13-F?答案在于其综合价值。它不仅仅是一个元件,更是提升产品整体竞争力的杠杆。极低的反向泄漏电流(仅5A @ 200V)意味着更低的待机功耗,满足现代设备严格的能效标准;小巧的封装与强大的性能结合,让您在空间与效能之间无需再做艰难取舍。如果您正在寻找稳定可靠的货源和专业的技术支持,我们的DIODES一级代理渠道将确保您获得正品保障和全面的服务,让您的采购与设计流程无缝衔接,后顾无忧。
- 制造商产品型号:DL4935-13-F
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:DIODE GEN PURP 200V 1A MELF
- 系列:二极管 - 整流器 - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- 二极管类型:标准
- 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V
- 电流-平均整流(Io):1A
- 不同If时电压-正向(Vf):1.2V @ 1A
- 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间(trr):200ns
- 不同Vr时电流-反向泄漏:5A @ 200V
- 不同Vr、F时电容:15pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:DO-213AB,MELF
- 供应商器件封装:MELF
- DL4935-13-F的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















