




DMC2041UFDB-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:U-DFN2020-6(B 类)
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DMC2041UFDB-13参数详情:
想象一下,当您的便携式设备需要更长的续航,而电路板空间却寸土寸金时,您该如何选择?答案或许就藏在DMC2041UFDB-13这颗精巧而强大的双通道MOSFET阵列中。它不仅仅是一个电子元件,更是您实现高效能、小型化设计的得力助手,以其卓越的性能和紧凑的封装,为您的产品注入持久的生命力。
在当今追求极致能效与空间利用率的时代,这款芯片的优势不言而喻。它集成了N沟道和P沟道MOSFET于一身,在仅20V的漏源电压下,分别提供高达4.7A和3.2A的连续电流驱动能力,而其导通电阻低至40毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统的整体效率。无论是智能手机、平板电脑的电源管理路径,还是可穿戴设备、IoT模块中的负载开关,它都能确保电能以最“清爽”的方式流动,让宝贵的电池能量更多地用于核心功能,而非无谓的消耗。
它的应用场景广泛而深入。当您设计一款超薄笔记本,需要高效管理USB端口的供电与数据通路时;当您开发一款智能手表,需要在有限的空间内实现复杂的电源域切换时;甚至在无人机飞控系统、便携式医疗设备等对可靠性和尺寸都极为苛刻的领域,DMC2041UFDB-13都能凭借其6-UDFN的超小型封装和稳定的性能,轻松融入您的设计蓝图。其高达150°C的结温工作范围,确保了在严苛环境下依然稳定可靠,让您的产品无惧挑战。
选择它,就是选择了一种更智能的设计哲学。您无需再为分别选型、布局两颗MOSFET而烦恼,这颗高度集成的阵列简化了您的物料清单(BOM)和PCB布局,显著降低了设计的复杂性和生产成本。极低的栅极电荷和输入电容,意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,特别适合高频开关应用,让您的系统响应更加敏捷。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星芯片,专业的DIODES代理将为您提供从选型支持到稳定供应的全方位服务。让DMC2041UFDB-13成为您下一款爆品中那个虽小却至关重要的“能量心脏”,开启高效、紧凑设计的新篇章。
- 型号:DMC2041UFDB-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(B 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A,3.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):713pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.4W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)
- DMC2041UFDB-13的官网价格:10000:$0.33957,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















