DMC2450UV-7

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个便携式设备是否正为空间与功耗的平衡而困扰？想象一下，一颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的微型解决方案，不仅能节省宝贵的PCB面积，更能显著提升系统效率。这正是DMC2450UV-7为您带来的核心价值。它不仅仅是一个晶体管阵列，更是工程师应对现代电子设备小型化、智能化挑战的得力助手。

无论是智能手环中需要精密控制的电源管理模块，还是TWS耳机里对功耗极其敏感的充电与信号切换电路，DMC2450UV-7都能游刃有余。其20V的漏源电压和高达1.03A的连续漏极电流，为各类低压便携设备提供了坚实的性能基础。在物联网传感器的信号采集路径中，或在平板电脑的背光驱动部分，这颗芯片都能确保信号切换的快速与稳定，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的续航和更可靠的性能脱颖而出。

选择DMC2450UV-7，意味着您选择了一种经过优化的设计哲学。其超低的导通电阻（仅480毫欧）和极小的栅极电荷（0.5nC），直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这对于提升整体能效和响应速度至关重要。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品从严寒到酷暑的卓越环境适应性。当您需要可靠、高效的MOSFET阵列解决方案时，通过专业的DIODES中国代理获取DMC2450UV-7，无疑是加速产品上市、确保供应链稳定的明智之举。它用微小的封装承载强大的性能，助您轻松攻克设计难关，将创意高效转化为现实。

• 型号:DMC2450UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A，700mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMC2450UV-7的官网价格：1:$0.50000|3000:$0.11040，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。