DMC3016LNS-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMC3016LNS-7，这颗来自Diodes Incorporated的汽车级双MOSFET阵列，正是为破解这一难题而生。它将卓越的电气性能与微小的封装完美结合，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在汽车电子的核心地带无论是先进的ADAS传感器供电、精密的车身控制模块，还是高效的车载信息娱乐系统都需要稳定、高效且坚固的开关解决方案。DMC3016LNS-7正是为此类严苛应用场景量身打造。其N和P沟道互补型设计，为您提供了极大的电路设计灵活性，可以轻松构建高效的半桥或全桥拓扑，实现精准的功率分配与电机驱动。高达30V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，确保它能够从容应对汽车环境中常见的电压波动和负载冲击，让您的产品在复杂工况下依然稳定如山。

选择DMC3016LNS-7，意味着您选择了一份放心的承诺。它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，通过了严苛的汽车级认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车电子对可靠性的最高要求。更令人振奋的是，其超低的导通电阻（最低仅16毫欧）和极小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效，减少热量产生，让您的设备运行更凉爽、更持久。其微型的8-PowerVDFN封装，在节省宝贵PCB空间的同时，也优化了散热性能。

当您需要将如此卓越的芯片集成到您的下一代设计中时，选择可靠的供应渠道至关重要。我们作为官方授权的DIODES授权代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的货源，更能提供专业的技术支持和选型服务。让DMC3016LNS-7成为您产品竞争力的强大引擎，与我们携手，共同驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMC3016LNS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），6.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3016LNS-7的官网价格：1:$1.12000|2000:$0.29102，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。