DMC3026LSD-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为分立器件的布局和性能匹配而烦恼？想象一下，一颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的芯片，不仅节省了宝贵的PCB空间，更能让您的系统运行如丝般顺滑。DMC3026LSD-13正是为此而生，它将卓越的电气性能与汽车级的可靠性完美融合，为您带来前所未有的设计自由度和系统稳定性。

无论是驱动电机、管理负载开关，还是构建精密的H桥电路，这颗芯片都能游刃有余。其30V的耐压和超过6A的连续电流能力，足以应对大多数中低功率场景的严苛要求。更令人印象深刻的是，它极低的导通电阻（最低仅25毫欧）和栅极电荷，意味着更少的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统效率和更低的发热量，让您的产品在竞争中脱颖而出。当您需要稳定可靠的汽车电子或工业控制解决方案时，选择通过DIODES一级代理供应的原装正品，就是为品质上了一道坚实的保险。

为何越来越多的工程师将DMC3026LSD-13作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。它不仅仅是一个元器件，更是一个经过AEC-Q101认证的、面向汽车应用的可靠伙伴。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定工作。采用标准的8-SOIC封装，兼容性强，易于生产和采购。选择它，意味着您选择了经过市场验证的性能、Diodes Incorporated的品牌保障，以及能够简化BOM、加速产品上市进程的智慧方案。让这颗高效、可靠的双MOSFET阵列，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:DMC3026LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V，10.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V，1241pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3026LSD-13的官网价格：1:$1.17000|2500:$0.29693，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。