DMG1013UWQ-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一款既能承载关键负载，又能为您的PCB布局释放宝贵空间的功率开关解决方案？答案或许就藏在DMG1013UWQ-7这颗小小的芯片之中。作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101车规标准的杰出成员，它不仅仅是一个P沟道MOSFET，更是您提升系统可靠性、简化设计流程的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或需要精密电源控制的模块中，DMG1013UWQ-7能够轻松胜任负载开关、电源路径管理或信号切换等核心任务。其20V的漏源电压和820mA的连续漏极电流能力，为各种低压应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它在低至1.8V的驱动电压下就能实现高效导通，这意味着即使面对电池供电设备中逐渐下降的电压，它依然能稳定工作，确保您的产品性能始终如一，从满电到临界状态都值得信赖。

选择DMG1013UWQ-7，就是选择了一份从容与高效。其极低的导通电阻（最大750毫欧）和微小的栅极电荷（仅0.62nC），直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这不仅提升了整体能效，减少了发热，也让您的系统响应更加敏捷。SOT-323的超紧凑封装，仿佛是专为高密度现代电子设计而生，让您在有限的板卡空间内游刃有余地布局。从-55°C到150°C的广阔工作结温范围，更是赋予了它应对严苛环境挑战的强悍体质，无论是消费电子还是汽车电子应用，都能稳如磐石。当您需要可靠的车规级元器件时，通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，无疑是确保产品源头品质和供应稳定的明智之举。

归根结底，在元器件选型这场关乎性能、成本与可靠性的博弈中，DMG1013UWQ-7提供了一种优雅的平衡。它用经过车规认证的品质、出色的电气参数和微型化的物理形态，为您化解设计难题，将复杂的功率控制变得简单而可靠。让它成为您下一个项目中的“隐形冠军”，在看不见的地方，默默释放巨大价值，驱动创新走向成功。

• 型号:DMG1013UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.62 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMG1013UWQ-7的官网价格：1:$0.34000|3000:$0.07201，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。