




DMG1023UVQ-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:SOT-563
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMG1023UVQ-7参数详情:
在追求极致空间利用与可靠性的汽车电子设计中,您是否还在为寻找一颗既能节省宝贵PCB面积,又能轻松应对严苛环境挑战的双P沟道MOSFET而烦恼?现在,答案来了。让我们向您隆重介绍DMG1023UVQ-7,这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,专为满足现代汽车电子对高性能与高集成度的双重渴望而生。它不仅仅是一个开关,更是您提升系统效率、保障长期稳定运行的得力伙伴。
想象一下,在车身控制模块、智能照明系统或高级驾驶辅助系统的传感器供电电路中,空间总是寸土寸金。DMG1023UVQ-7采用的超紧凑SOT-563封装,如同一颗精密的电子“心脏”,在极小的占位面积内集成了两个独立的P沟道MOSFET。这意味着您可以在不牺牲任何功能的前提下,大幅缩减电路板尺寸,为更复杂的功能或更优雅的工业设计腾出空间。其高达150°C的结温工作能力和通过AEC-Q101认证的汽车级品质,确保了从炎炎夏日到冰雪寒冬,从引擎舱附近到座舱内部,它都能稳定如一地执行每一次开关指令,为您的终端产品注入令人放心的耐久力。
选择DMG1023UVQ-7,就是选择了一种面向未来的设计思路。它20V的漏源电压和1.03A的连续漏极电流能力,完美覆盖了大多数低压侧电源切换和信号路径管理的需求。更低的导通电阻意味着更小的导通损耗和发热,直接提升了系统的整体能效,让电池续航更持久。其优异的栅极电荷和输入电容特性,确保了快速、干净的开关动作,有效减少电压尖峰和电磁干扰,让您的系统运行更“安静”、更可靠。无论是用于负载开关、电源序列控制,还是电机驱动中的预驱动电路,它都能游刃有余。如果您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持,我们的DIODES一级代理身份能为您提供从样品到批量生产的全程保障,让创新之路畅通无阻。
归根结底,在竞争激烈的市场中,细节决定成败。DMG1023UVQ-7以其卓越的电气性能、汽车级的可靠性以及极致的微型化封装,为您提供了超越竞争对手的关键优势。它让复杂的设计变得简单,让严苛的要求变得轻松满足。当您将这颗芯片融入您的下一个汽车电子项目时,您收获的将不仅是电路的正常运作,更是产品竞争力与品牌口碑的显著提升。立即体验DMG1023UVQ-7带来的变革,开启高效、紧凑、可靠的汽车电子设计新篇章。
- 型号:DMG1023UVQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-563
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 430mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.622nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):59pF @ 16V
- 功率 - 最大值:530mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-563
- DMG1023UVQ-7的官网价格:1:$0.53000|3000:$0.11674,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















