DMG3407SSN-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载稳定电流、又能最大限度降低功耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMG3407SSN-7，正是那个能完美平衡性能与效率的答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，让您的设计在激烈的市场中脱颖而出。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，一颗芯片需要默默承担起高效开关与能量控制的重任。DMG3407SSN-7正是为此而生。其30V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为各种应用提供了坚实的动力基础。无论是需要精密电源管理的智能穿戴设备，还是要求快速响应的负载开关场景，它都能游刃有余，确保系统运行如丝般顺滑。更令人惊喜的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的50毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备续航和更低的系统温升，让您的产品在能效表现上赢得用户口碑。

选择DMG3407SSN-7，就是选择了一份可靠与高效。其紧凑的SC-59表面贴装封装，极大地节省了宝贵的PCB空间，非常适合当今电子产品小型化、高集成的趋势。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的强悍能力，从消费电子到工业控制，都能稳定服役。低至16nC的栅极电荷和优化的输入电容，确保了极快的开关速度，显著提升整体系统的响应效率。当您通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是Diodes Incorporated（美台半导体）的卓越品质保障，更是一份助力项目成功、加速产品上市的强大支持。让DMG3407SSN-7成为您下一个爆款设计的核心动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMG3407SSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3407SSN-7的官网价格：1:$0.55000|3000:$0.12192，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。