DMG4N60SJ3

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临功率密度与可靠性的两难抉择？今天，我们为您带来一个经过市场验证的成熟解决方案DMG4N60SJ3。这颗来自Diodes Incorporated的600V N沟道MOSFET，以其稳健的性能和出色的性价比，在众多应用中持续发光发热，成为构建可靠电力系统的基石。即使产品状态显示为停产，其在特定存量市场和延续性设计中的价值依然不可忽视，通过可靠的DIODES中国代理渠道，您依然可以稳定获取这颗经典器件，为您的产品生命周期保驾护航。

想象一下，在开关电源的初级侧，需要一颗能够承受高压冲击、同时具备快速开关能力的开关管。DMG4N60SJ3正是为此而生。它高达600V的漏源击穿电压，为您应对电网波动和感性负载关断产生的电压尖峰提供了充足的安全余量。3A的连续漏极电流能力，配合TO-251（IPAK）封装良好的散热特性，使其能够轻松驾驭中小功率的AC-DC反激式转换器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源模块。其2.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在能效竞赛中占据先机。

选择DMG4N60SJ3，不仅仅是选择了一个电子元件，更是选择了一份经过时间考验的可靠性。其10V的标准驱动电压与主流的PWM控制器完美兼容，简化了驱动电路设计。仅14.3nC的栅极电荷，确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗，提升高频工作下的整体性能。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它适应严苛环境的能力，无论是寒冷的户外还是设备内部的热点区域，它都能稳定运行。对于许多正在维护或升级现有产品线的工程师而言，这颗芯片提供了无需重新设计、直接替换的便利，是保障生产连续性和降低研发风险的明智之选。

• 型号:DMG4N60SJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• DMG4N60SJ3的官网价格：75:$0.43080，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。