DMG6968UTS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？当您需要驱动小型电机、管理负载开关或设计紧凑的DC-DC转换器时，一颗兼具高性能与高集成度的MOSFET往往是决定成败的关键。现在，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMG6968UTS-13。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的逻辑电平驱动能力和极低的导通电阻，正重新定义着紧凑型设计的性能边界。

想象一下，在您的便携式设备、无人机飞控或智能家居模块中，空间何其珍贵。DMG6968UTS-13采用先进的8-TSSOP封装，将两个高性能MOSFET集成于方寸之间，直接为您节省了宝贵的PCB面积，让布局更加游刃有余。更令人振奋的是，其23毫欧的超低导通电阻（在6.5A，4.5V条件下）意味着更少的导通损耗，电能得以高效转换而非浪费为热量，这不仅提升了整体系统效率，也简化了散热设计，让设备运行更凉爽、更持久。无论是处理电机的启停脉冲，还是作为负载开关快速通断电流，它都能以极高的响应速度和可靠性完成任务。

它的价值远不止于参数表。在电池供电的物联网终端中，其逻辑电平门特性（Vgs(th)最大仅950mV）使其能够被微控制器GPIO口直接、轻松地驱动，无需额外的电平转换电路，既降低了BOM成本，又提高了系统的可靠性。在服务器背板或通信设备的分布式电源架构里，其高达5.2A的连续漏极电流能力和20V的耐压，为多路电压的精准分配与开关提供了坚实保障。选择DMG6968UTS-13，就是选择了一种更简洁、更高效、更可靠的设计哲学。它让工程师从复杂的电路设计中解放出来，专注于实现更创新的产品功能。

为何众多领先企业将其列为首选？答案在于综合价值。它不仅在性能上表现出色，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也确保了在严苛环境下的稳定运行。当您需要可靠、稳定且具成本效益的货源时，通过正规的DIODES一级代理进行采购，是保障产品供应链安全、获得原厂技术支持和正品芯片的最佳途径。这不仅仅是选择了一颗组件，更是为您的产品注入了一份经得起市场考验的卓越基因。立即采用DMG6968UTS-13，开启您下一个项目的高效、紧凑之旅，体验性能与空间完美平衡所带来的竞争优势。

• 型号:DMG6968UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:143pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMG6968UTS-13的官网价格：1:$0.85000|2500:$0.20484，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。