




DMHC3025LSD-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SO
- 技术参数:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMHC3025LSD-13参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的下一个智能设备是否还在为复杂的电机驱动电路和宝贵的PCB空间而烦恼?想象一下,一颗高度集成的芯片,不仅能简化您的设计,更能显著提升整体性能与可靠性这正是DMHC3025LSD-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款H桥MOSFET阵列,它集成了两个N通道和两个P通道MOSFET,以卓越的集成度,将传统需要多颗分立器件才能搭建的驱动电路,浓缩于一个紧凑的8-SOIC封装之中,为您释放出更多设计自由。
这款芯片的应用场景极为广泛,几乎涵盖了所有需要精密、高效双向控制的领域。无论是让消费电子产品中的微型电机实现静音、平稳的正反转,如相机自动对焦模块、智能门锁;还是在工业自动化中驱动小型泵阀、精密仪器仪表;亦或是为新兴的IoT设备、机器人关节、无人机云台提供可靠的动力核心,DMHC3025LSD-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达6A的连续漏极电流,确保了在多种电压平台下的强大驱动能力和稳定性,让您的产品动力澎湃,运行无忧。
选择DMHC3025LSD-13,就是选择了一份高效与可靠的保障。其逻辑电平门控特性,意味着它可以直接与微控制器等低压逻辑电路无缝对接,极大简化了驱动电路设计,缩短了您的开发周期。仅25毫欧的超低导通电阻,能显著降低导通损耗,减少发热,直接提升系统能效和续航时间。而高达150°C的结温工作范围,则赋予了产品在苛刻环境下稳定运行的坚韧品质。从原型设计到量产落地,这颗芯片都是您优化BOM成本、提升产品竞争力的明智之选。为确保您获得正品保障与完善的技术支持,我们推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购。
总而言之,DMHC3025LSD-13不仅仅是一个组件,它是您实现创新设计、打造差异化产品的强大引擎。它将高性能、高集成度与高可靠性完美融合,助您轻松跨越设计挑战,将更多精妙的创意转化为触手可及的现实。立即采用它,为您的新一代智能设备注入更强劲、更智能的驱动力!
- 型号:DMHC3025LSD-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N 和 2 P 沟道(全桥)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A,4.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):590pF @ 15V, 631pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- DMHC3025LSD-13的官网价格:1:$1.49000|2500:$0.36898,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















