DMJ70H1D5SV3

当您的电源设计需要在高电压环境下稳定运行，同时还要兼顾效率和成本时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案DMJ70H1D5SV3。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达700V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，为您的工业级应用筑起了一道坚实可靠的能量控制防线。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，这颗芯片能够从容应对高压启动和功率转换的挑战；在功率因数校正（PFC）电路中，它帮助您轻松实现高效的能量管理；而对于电机驱动、照明镇流器乃至工业控制设备，DMJ70H1D5SV3都能凭借其卓越的电气特性，确保动力输出的精准与平滑。其TO-251封装兼顾了散热性能与PCB布局的便利性，让工程师在设计时拥有更大的灵活性。当您需要可靠的供应链支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将确保您能及时、稳定地获取这颗优质芯片，为您的生产计划保驾护航。

选择DMJ70H1D5SV3，意味着您选择了一份经过时间考验的成熟与可靠。尽管它已进入停产状态，但其在众多严苛应用中的出色表现，使其成为存量项目维护、经典设计延续或对特定批次有稳定需求时的理想选择。它1.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的传导损耗，而高达78W的功率耗散能力则展现了其强大的散热潜力。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让您的产品无惧严寒酷暑的考验。这颗芯片承载的是Diodes一贯的高品质标准，是您打造耐用、高效能产品的信心之选。

• 型号:DMJ70H1D5SV3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:316 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• DMJ70H1D5SV3的官网价格：75:$0.62600，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。