DMN1017UCP3-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们用数据说话：一颗导通电阻低至17毫欧的N沟道MOSFET，能在3.3V驱动下轻松驾驭5A电流，将功率损耗大幅降低。这正是DMN1017UCP3-7带来的核心价值它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统效率、实现紧凑设计的得力引擎。凭借其卓越的电气特性，它能让能量转换过程更为顺畅，把更多电力精准输送到需要的地方，而非浪费在发热上。

想象一下，在那些对体积和效率都极为苛刻的场景中，比如最新一代的智能手机快充模块、轻薄的笔记本电脑主板，或是高密度的服务器POL（负载点）转换器，每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵，每一次开关动作都关乎整体续航与温升。DMN1017UCP3-7采用的先进X3-DSN1010-3封装，在提供高达7.5A连续电流能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子设备向小型化、高性能进化的趋势。它的工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了从消费电子到工业控制等各种环境下的稳定性和可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择DMN1017UCP3-7，就是选择了一种经过验证的高性价比解决方案。它1.8V的低门槛驱动电压与3.3V/5V逻辑电平完美兼容，极大简化了驱动电路设计。仅16nC的低栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的DIODES芯片代理将成为您的坚实后盾，确保您能便捷地获取这颗优质芯片，并得到相应的应用支持。无论是升级现有产品还是开发全新项目，它都能以出色的性能帮助您缩短开发周期，降低系统复杂度，最终打造出在市场上更具竞争力的高效能产品。

• 型号:DMN1017UCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，3.3V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 5A，3.3V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 3.3 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1503 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.47W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X3-DSN1010-3
• 封装/外壳:3-XDFN
• DMN1017UCP3-7的官网价格：1:$0.93000|3000:$0.22235，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。