DMN1019UVT-7

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出强劲电流的MOSFET而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN1019UVT-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅10毫欧的超低导通电阻和高达10.7A的连续漏极电流，重新定义了小尺寸功率器件的性能标杆。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或无人机飞控系统中，空间何其珍贵。DMN1019UVT-7采用的TSOT-26超薄封装，完美解决了这一痛点，让您在寸土寸金的PCB上实现高密度布局，同时毫不妥协于功率处理能力。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了无论是严寒还是酷热的环境，它都能稳定运行，为您的产品提供全天候的保障。这正是选择与可靠的DIODES代理合作的价值所在获得经过严格验证、性能卓越的核心元器件。

当我们将目光投向具体的应用场景，这颗芯片的价值愈发凸显。在同步整流电路中，其极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接转化为更高的转换效率和更低的温升。对于负载开关或电机驱动应用，1.2V的低驱动电压门槛让它可以轻松被微控制器直接驱动，简化了您的电路设计，降低了整体BOM成本。它就像一位沉默而强大的助手，在电路的关键节点上，确保能量高效、精准地流动。

那么，在众多同类产品中，为何DMN1019UVT-7是您的明智之选？核心在于它在性能、尺寸和可靠性之间取得的卓越平衡。它并非单纯追求某一参数的极致，而是致力于为工程师提供一个“无短板”的解决方案。您无需在电流能力、导通损耗和封装尺寸之间艰难取舍。这颗芯片以其全面的优秀表现，让您的设计过程更加顺畅，最终产品更具市场竞争力。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的信心。

• 型号:DMN1019UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN1019UVT-7的官网价格：1:$0.72000|3000:$0.16501，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。