DMN10H170SFGQ-13

想象一下，您的下一个电源设计项目，是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高效率与紧凑尺寸的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMN10H170SFGQ-13，正是为终结这种烦恼而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其卓越的100V耐压和高达8.5A的连续漏极电流能力，瞬间将您的设计基准提升到新的高度。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效能、高可靠性的关键动力源泉。

当我们将目光投向实际应用，DMN10H170SFGQ-13的身影活跃于众多前沿领域。在汽车电子中，无论是LED照明驱动、电机控制模块，还是车载充电器，它都能凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，从容应对引擎舱的高温震动，确保每一次出行都安全可靠。在工业自动化领域，它为紧凑型PLC、传感器模块和伺服驱动器提供高效的电源切换方案，其低至122毫欧的导通电阻显著降低了功率损耗，让设备运行更凉爽、更持久。对于消费类电子产品，如高功率适配器、智能家居的电源管理部分，其PowerDI3333-8的超小封装让您在有限的空间内实现强大的功率处理能力，助力产品设计更加轻薄精巧。

选择DMN10H170SFGQ-13，就是选择了一份从容与信心。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着它能适应从寒带到热带的极端气候，而仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，大大简化了您的驱动电路设计，降低了系统整体成本。更低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，从而提升系统频率和响应能力。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时，我们的DIODES代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。这款芯片的价值，不仅在于其纸面参数，更在于它如何融入您的系统，化身为稳定、高效、耐用的代名词，最终让您的产品在市场竞争中脱颖而出，赢得用户的信赖与口碑。

• 型号:DMN10H170SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H170SFGQ-13的官网价格：3000:$0.30076，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。