DMN2005UFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭高达18.1A电流，却将导通电阻压至仅4.6毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMN2005UFG-13带来的现实它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是通往高效、紧凑与可靠未来的钥匙。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是为高性能笔记本电脑的CPU和GPU提供精准的电压调节，还是在服务器电源的同步整流电路中担当重任，其20V的漏源电压和极低的Rds(on)确保了能量在转换过程中损耗最小。在日益流行的无人机和电动工具中，它能够轻松应对电机驱动瞬间的大电流冲击，而其卓越的散热性能（最大功耗1.05W）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）保证了设备在严苛环境下的稳定运行。对于任何需要高效功率开关和负载切换的场合，从消费电子到工业控制，它都是提升整体系统效率、缩小产品体积的基石。

选择DMN2005UFG-13，意味着您选择了一种经过验证的卓越。其采用先进的MOSFET技术，在仅2.5V的低驱动电压下即可实现优异导通，大幅简化了驱动电路设计，降低了系统复杂性与成本。PowerDI3333-8的超紧凑表面贴装封装，为您在寸土寸金的PCB上节省了宝贵空间，是实现高功率密度设计的理想选择。更重要的是，其背后是Diodes Incorporated强大的技术支持和品质保证。为了确保您能便捷、可靠地获得这颗性能尖兵，我们推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购，从而获得正品保障、充足库存和专业的技术服务，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:DMN2005UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN2005UFG-13的官网价格：1:$1.24000|3000:$0.31138，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。