DMN2013UFDE-7

想象一下，当您的便携设备需要处理高达10.5A的电流，同时还要保持极致的紧凑与高效，您会选择怎样的解决方案？这正是DMN2013UFDE-7诞生的意义它不仅仅是一颗MOSFET，更是您应对现代高密度、高效率电源设计的得力伙伴。在20V的电压舞台上，它能以仅11毫欧的超低导通电阻，让能量损耗降至最低，将每一分电力都精准地转化为您需要的动力。

无论是智能手机的快速充电模块、平板电脑的电源管理单元，还是各类便携式消费电子的核心开关电路，这颗芯片都能完美融入。其U-DFN2020-6的超小型封装，为寸土寸金的PCB布局释放了宝贵空间，让您的产品设计更加纤薄、轻巧。而宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了从严寒到酷热的各种环境下，性能始终稳定如一，为产品的可靠性提供了坚实保障。

选择DMN2013UFDE-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体能效。当您需要一位可靠的技术伙伴时，专业的DIODES芯片代理不仅能提供这颗性能卓越的芯片，更能带来从选型支持到供应链保障的全方位服务。让这颗集高效、紧凑、可靠于一身的N沟道MOSFET，成为您下一款明星产品中那个沉默却强大的核心引擎，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMN2013UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2453 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN2013UFDE-7的官网价格：3000:$0.20689，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。