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    DMN2013UFX-7
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-VFDFN
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMN2013UFX-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57.4nC @ 8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2607pF @ 10V
  • 功率-最大值：2.14W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-VFDFN
  • DMN2013UFX-7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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