DMN2025UFDB-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个便携式设备或高密度电源模块，是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？答案就在DMN2025UFDB-7。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的性能，正在重新定义高效率功率管理的可能性。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键引擎。

想象一下，在您的手持游戏机、无人机飞控或Type-C电源适配器中，需要快速、精准地控制多个负载的开关。DMN2025UFDB-7正是为此而生。其高达20V的漏源电压和6A的连续漏极电流，为各类低压大电流应用提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它在4.5V驱动下仅25毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中，能量以热能形式浪费的部分被降至极低，直接转化为更长的电池续航、更低的设备温升以及更稳定的系统运行。无论是智能手机的负载开关、便携式设备的电源路径管理，还是服务器主板上的POL（负载点）转换，它都能游刃有余，确保每一份电能都被高效利用。

选择DMN2025UFDB-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。其采用的U-DFN2020-6超小型封装，面积仅约2.0mm x 2.0mm，为您的PCB布局释放了宝贵的空间，让产品设计更加纤薄、紧凑。极低的栅极电荷（仅12.3nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的可靠性。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，选择专业的DIODES代理合作伙伴至关重要，他们能确保您从样品到量产一路畅通。集成这颗芯片，您收获的不仅是优异的电气参数，更是产品整体竞争力的一次强力升级，让高效、紧凑、可靠成为您产品的核心标签。

• 型号:DMN2025UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2025UFDB-7的官网价格：3000:$0.14909，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。