DMN2075UDW-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在有限空间内实现高效功率控制的解决方案而困扰？想象一下，一款集高性能、小尺寸与卓越可靠性于一体的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计。今天，我们为您带来的DMN2075UDW-7，正是这样一款能够点燃您设计灵感的明星产品。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和高达2.8A的连续漏极电流能力，在紧凑的SOT-363封装内蕴藏着令人惊叹的能量。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V驱动电压下，仅48毫欧的阻值意味着更少的功率损耗和更高的整体效率，直接转化为更长的设备运行时间或更小的散热需求。无论是对于电池供电的便携设备，还是对空间和温升极为敏感的嵌入式系统，这都意味着性能与可靠性的双重飞跃。

它的身影活跃于众多前沿应用场景之中。在智能手机的电源管理模块里，它确保电能的高效分配与精准控制；在无人机轻盈的飞控系统中，它负责电机驱动的快速响应与稳定输出；在各类智能穿戴设备的紧凑主板内，它则是实现低功耗待机与高效运行的关键开关。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是让它能够从容应对从工业自动化到消费电子的各种严苛环境挑战，为您的产品提供全天候的稳定保障。

选择DMN2075UDW-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它不仅拥有出色的电气参数，如低至7nC的栅极电荷和优化的输入电容，确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更为迅捷。更重要的是，通过我们专业的DIODES一级代理，您将获得原厂直供的正品保障、具有竞争力的价格以及及时可靠的技术与供货支持。这不仅仅是选择了一颗芯片，更是为您的项目选择了一位值得信赖的性能伙伴，助您轻松攻克设计难关，将高效、紧凑、可靠的产品更快地推向市场。

• 型号:DMN2075UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• DMN2075UDW-7的官网价格：1:$0.61000|3000:$0.13631，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。