DMN21D2UFB-7B

当您的便携式设备需要在狭小空间内实现高效电源管理时，您是否曾为选择一颗性能可靠、尺寸极致的MOSFET而烦恼？现在，答案来了。DMN21D2UFB-7B正是为应对此类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和760mA的连续漏极电流能力，在微型化设计中提供了稳定而强大的开关性能。其核心魅力在于，它成功地将卓越的电气特性浓缩进了几乎难以察觉的3-X1DFN1006封装之中，让您的产品在性能与体积之间不再需要艰难取舍。

想象一下，在智能手表、TWS耳机、便携式医疗传感器或物联网终端设备中，每一毫米的PCB空间都弥足珍贵。DMN21D2UFB-7B的登场，意味着您可以在电池管理、负载开关、信号切换等关键电路节点上，部署一个高效且安静的“能量守门员”。它极低的栅极电荷（仅0.93nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，这对于延长电池续航至关重要。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了产品从严寒到酷暑的可靠适应能力，让您的设计无惧环境挑战。

选择DMN21D2UFB-7B，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它1.5V的低驱动电压门槛，使其能与现代低功耗MCU完美协同，简化您的系统设计。而990毫欧的低导通电阻（@ 100mA, 4.5V），则直接转化为更低的导通压降和更少的热量产生，提升了整体能效。为了让您能更顺畅地将这颗明星芯片集成到您的创新中，我们作为专业的DIODES一级代理，不仅保障稳定供货，更能提供深入的技术支持与选型指导。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现小巧、高效、可靠特质的关键赋能者，助您在激烈的市场竞争中，以细节赢得优势。

• 型号:DMN21D2UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN21D2UFB-7B的官网价格：1:$0.44000|10000:$0.08001，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。