DMN2400UFDQ-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能实现高效开关控制，又能在紧凑空间内稳定运行的MOSFET而烦恼？答案就在DMN2400UFDQ-7。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和精巧的设计，正成为众多工程师在低压、小电流应用中的首选。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品性能、优化空间布局、降低整体功耗的关键赋能者。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中，空间何其宝贵，每一毫瓦的功耗都至关重要。DMN2400UFDQ-7正是为此而生。它采用超紧凑的3DFN封装，面积微小，却能轻松应对20V的电压和900mA的连续电流，在电池供电的设备中扮演着高效的“电力开关”角色。无论是管理电源路径、驱动小型电机，还是作为信号切换的核心，它都能以极低的导通电阻（低至600毫欧）和超低的栅极电荷，确保能量损失最小化，让您的设备续航更持久，运行更冷静。

选择DMN2400UFDQ-7，意味着您选择了一种可靠且高效的解决方案。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品强大的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定工作。更低的驱动电压需求（最低1.5V）使其能与现代低功耗微控制器完美配合，简化您的驱动电路设计。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，通过专业的DIODES代理进行采购，不仅能确保产品正宗，还能获得及时的市场与技术支持，为您的项目从设计到量产全程护航。这颗小小的芯片，凝聚了Diodes对品质与创新的坚持，是您打造下一代精巧、高效、可靠电子产品的坚实基石。

• 型号:DMN2400UFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
• DMN2400UFDQ-7的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。